Bipolartransistor MJ8500

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ8500

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 700 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2.5 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ8500

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ8500

Sie können den Transistor MJ8500 durch einen BUX48C, MJ12002, MJ12004, MJ12005, MJ8501, MJ8502, MJ8503, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.
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