Bipolartransistor MJ12002

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ12002

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 750 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 1500 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2.5 A
Verlustleistung, max: 75 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 11
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ12002

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ12002

Sie können den Transistor MJ12002 durch einen MJ12004 oder MJ12005 ersetzen.

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