Bipolartransistor MJ8501

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ8501

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2.5 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ8501

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ8501

Sie können den Transistor MJ8501 durch einen MJ8503 oder MJ8505 ersetzen.
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