Elektrische Eigenschaften des Transistors KTA1282O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KTA1282O
Der KTA1282O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTA1282O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTA1282 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KTA1282Y im Bereich von 160 bis 320.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KTA1282O ist der KTC3210O.