Bipolartransistor KTA1282O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTA1282O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KTA1282O

Der KTA1282O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTA1282O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTA1282 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KTA1282Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTA1282O ist der KTC3210O.

SMD-Version des Transistors KTA1282O

Der 2SA1203 (SOT-89), 2SA1203-O (SOT-89), FMMT549 (SOT-23), KTA1663 (SOT-89) und KTA1663O (SOT-89) ist die SMD-Version des KTA1282O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTA1282O

Sie können den Transistor KTA1282O durch einen 2SA1020, 2SA1273, 2SA1273-O, 2SA928A, 2SA928A-O, 2SB1229, 2SB1229-R, 2SB892, 2SB892-R, 2SB985, 2SB985R, KSA928A, KSA928A-O, KTA1273, KTA1273O, KTA1281, STB1277 oder STB1277-O ersetzen.
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