Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3210O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KTC3210O
Der KTC3210O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC3210O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3210 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KTC3210Y im Bereich von 160 bis 320.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3210O ist der KTA1282O.
SMD-Version des Transistors KTC3210O
Der KTC4375 (SOT-89) und KTC4375O (SOT-89) ist die SMD-Version des KTC3210O-Transistors.
