Bipolartransistor STB1277-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors STB1277-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des STB1277-O

Der STB1277-O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor STB1277-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des STB1277 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des STB1277-Y im Bereich von 160 bis 320.

SMD-Version des Transistors STB1277-O

Der 2SA1203 (SOT-89), 2SA1203-O (SOT-89), FMMT549 (SOT-23), KTA1663 (SOT-89) und KTA1663O (SOT-89) ist die SMD-Version des STB1277-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor STB1277-O

Sie können den Transistor STB1277-O durch einen 2SA1020, 2SA1273, 2SA1273-O, 2SA928A, 2SA928A-O, 2SB1229, 2SB1229-R, 2SB892, 2SB892-R, 2SB985, 2SB985R, KSA928A, KSA928A-O, KTA1273, KTA1273O, KTA1281, KTA1282 oder KTA1282O ersetzen.
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