Bipolartransistor KSB1151

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 400
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1151 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB1151 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1151-G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSB1151-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSB1151-Y im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1151 ist der KSD1691.Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSB1151-Transistors.Sie können den Transistor KSB1151 durch einen 2SB1151 ersetzen.