Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC3503-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 7 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des KSC3503-E
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC3503-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC3503 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des KSC3503-C im Bereich von 40 bis 80, die des KSC3503-D im Bereich von 60 bis 120, die des KSC3503-F im Bereich von 160 bis 320.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC3503-E ist der KSA1381-E.
SMD-Version des Transistors KSC3503-E
Der BF620 (SOT-89), BF820 (SOT-23) und PMBTA42 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC3503-E-Transistors.