Bipolartransistor 2N5656G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5656G

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 325 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 250
Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N5656G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5656G

Sie können den Transistor 2N5656G durch einen 2N5656, 2N5657, 2N5657G, 2SC2899, BD128 oder BD129 ersetzen.

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