Bipolartransistor 2N5656

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5656

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 325 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N5656

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5656

Sie können den Transistor 2N5656 durch einen 2N5656G, 2N5657, 2N5657G, 2SC2899, BD128 oder BD129 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com