Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1730O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 15 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 1100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC1730O
Der KSC1730O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC1730O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1730 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des KSC1730R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1730Y im Bereich von 120 bis 240.
SMD-Version des Transistors KSC1730O
Der MMBT918 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1730O-Transistors.
