Bipolartransistor KSC1730

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1730

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 15 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 1100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSC1730

Der KSC1730 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC1730 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1730O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1730R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1730Y im Bereich von 120 bis 240.

SMD-Version des Transistors KSC1730

Der MMBT918 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1730-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC1730

Sie können den Transistor KSC1730 durch einen 2N3394, 2N3706, 2SC2347 oder KTC3192 ersetzen.
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