Bipolartransistor KSC1730R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1730R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 15 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 1100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSC1730R

Der KSC1730R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC1730R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1730 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des KSC1730O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1730Y im Bereich von 120 bis 240.

SMD-Version des Transistors KSC1730R

Der MMBT918 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1730R-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC1730R

Sie können den Transistor KSC1730R durch einen 2N3394, 2N3706, 2SC2347, 2SC460, 2SC461, KTC3192, KTC3192R, KTC3197 oder PN3641 ersetzen.
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