Bipolartransistor 2N3709

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3709

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 45 bis 165
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2N3709

Der 2N3709 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N3709 ist der 2N4060.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3709

Sie können den Transistor 2N3709 durch einen 2N3708, 2SC2000, BC635, KSC1008C, KSC2331 oder KSC815C ersetzen.
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