Bipolartransistor KSC1009CY

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 120 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KSC1009CY wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC1009Y.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSC1009CY kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1009C liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC1009CG im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1009CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1009CR im Bereich von 40 bis 80.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1009CY ist der KSA709CY.Der 2N5551S (SOT-23), DXT5551 (SOT-89), DZT5551 (SOT-223), KST5550 (SOT-23), KST5551 (SOT-23), MMBT5550 (SOT-23) und MMBT5551 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1009CY-Transistors.Sie können den Transistor KSC1009CY durch einen 2SC2383, 2SC3228, 2SC3332, KSC2383 oder KTC3228 ersetzen.