Bipolartransistor KSC1009CG

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KSC1009CG wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC1009G.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSC1009CG kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1009C liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC1009CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1009CR im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1009CY im Bereich von 120 bis 240.Sie können den Transistor KSC1009CG durch einen 2SC3332 oder 2SC3332-T ersetzen.