Bipolartransistor KST5550

Elektrische Eigenschaften des Transistors KST5550

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular 2N5550 transistor

Pinbelegung des KST5550

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der KST5550-Transistor ist als "1F" gekennzeichnet.

Transistor KST5550 im TO-92-Gehäuse

Der 2N5550 ist die TO-92-Version des KST5550.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KST5550

Sie können den Transistor KST5550 durch einen FMMT625 oder MMBT5550 ersetzen.
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