Bipolartransistor KSA709CY

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA709CY

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSA709CY

Der KSA709CY wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSA709Y.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA709CY kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA709C liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KSA709CG im Bereich von 200 bis 400, die des KSA709CO im Bereich von 70 bis 140.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA709CY ist der KSC1009CY.

SMD-Version des Transistors KSA709CY

Der 2N5401S (SOT-23), DXT5401 (SOT-89), DZT5401 (SOT-223), KST5401 (SOT-23) und MMBT5401 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSA709CY-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA709CY

Sie können den Transistor KSA709CY durch einen 2SA1275, 2SA1319, KSA1013 oder KTA1275 ersetzen.
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