Bipolartransistor HSD1609-D

Elektrische Eigenschaften des Transistors HSD1609-D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 1.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 145 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1609-D transistor

Pinbelegung des HSD1609-D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor HSD1609-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSD1609 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des HSD1609-B im Bereich von 60 bis 120, die des HSD1609-C im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum HSD1609-D ist der HSB1109-D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor HSD1609-D

Sie können den Transistor HSD1609-D durch einen 2SC1565A, 2SC2258, 2SC2682, 2SC2682P, 2SC2690A, 2SC2690A-P, 2SC2911, 2SC2912, 2SC3116, 2SC3117, 2SC3416, 2SC3416-F, 2SC3417, 2SC3417-F, 2SC3502, 2SC3502-F, 2SC3503, 2SC3503-F, 2SC3600, 2SC3600-F, 2SC3601, 2SC3601-F, 2SC3787, 2SC3788, 2SC3788-F, 2SC3789, 2SC3789-F, 2SC3790, 2SC3790-F, 2SC3902, 2SC3955, 2SC3955-F, 2SC3956, 2SC3956-F, 2SD1609, 2SD1609-D, 2SD1610, 2SD1610-D, BD127, BD128, KSC2258, KSC2258A, KSC2682, KSC2682Y, KSC2690A, KSC2690A-Y, KSC3502, KSC3502-F, KSC3503 oder KSC3503-F ersetzen.
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