Bipolartransistor BDW52B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum BDW52B ist der BDW51B.Sie können den Transistor BDW52B durch einen 2N6286, 2N6286G, 2N6287, 2N6287G, 2SA1041, 2SA1043, 2SA907, 2SA908, 2SB722, BD316, BD318, BDW52C, MJ11017, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 oder MJ15004G ersetzen.