Bipolartransistor BDW51B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW51B ist der BDW52B.Sie können den Transistor BDW51B durch einen 2N6283, 2N6283G, 2N6284, 2N6284G, 2N6472, 2SC1584, 2SC1585, 2SC2431, 2SC2433, 2SD797, BD315, BD317, BDW51C, KD503, MJ11018, MJ15001, MJ15001G, MJ15003 oder MJ15003G ersetzen.