Bipolartransistor BDW52C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW52C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDW52C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDW52C ist der BDW51C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW52C

Sie können den Transistor BDW52C durch einen 2N6287, 2N6287G, 2SA1041, 2SA1043, 2SA907, 2SA908, 2SA909, 2SB722, 2SB723, 2SB723-C, BD318, MJ11017, MJ11019, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 oder MJ15004G ersetzen.
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