Bipolartransistor BDT60

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT60

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT60

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT60 ist der BDT61.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT60

Sie können den Transistor BDT60 durch einen 2N6040, 2N6040G, 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, 2SA1259, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1024, 2SB1223, 2SB1224, 2SB1225, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1251, 2SB1251-P, 2SB1251-Q, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1252-Q, 2SB1481, 2SB1626, 2SB1626-O, 2SB1626-P, 2SB1626-Y, 2SB601, 2SB601-K, 2SB601-L, 2SB601-M, 2SB673, 2SB674, 2SB675, 2SB751, 2SB751-P, 2SB751-Q, 2SB751-R, 2SB751A, 2SB751A-P, 2SB751A-Q, 2SB751A-R, 2SB880, 2SB881, 2SB882, 2SB885, 2SB886, 2SB950, 2SB950-P, 2SB950-Q, 2SB950A, 2SB950A-P, 2SB950A-Q, 2SB951, 2SB951-P, 2SB951-Q, 2SB951A, 2SB951A-P, 2SB951A-Q, BD646, BD648, BD650, BD652, BD898, BD898A, BD900, BD900A, BD902, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW24A, BDW24B, BDW24C, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54A, BDW54B, BDW54C, BDW54D, BDW64A, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW74A, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDW94A, BDW94B, BDW94C, BDW94CF, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54A, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, MJE700T, MJE701T, MJE702T, MJE703T, MJF127, MJF127G, MJF6668, MJF6668G, TIP105, TIP105G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP125, TIP125G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP135, TIP135G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP145T, TIP146T, TIP147T oder TTB1020B ersetzen.
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