Bipolartransistor BDW64D

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW64D

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDW64D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDW64D ist der BDW63D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW64D

Sie können den Transistor BDW64D durch einen BD652, BDT88, BDT88F, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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