Bipolartransistor BDT62

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT62

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT62

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT62 ist der BDT63.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT62

Sie können den Transistor BDT62 durch einen 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, 2SB1225, 2SB882, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G, TIP145T, TIP146T oder TIP147T ersetzen.
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