Bipolartransistor BDW45

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW45

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
Verlustleistung, max: 85 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDW45

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDW45 ist der BDW40.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW45

Sie können den Transistor BDW45 durch einen BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 oder MJF6668G ersetzen.

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