Bipolartransistor 2SB795-M

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000 bis 5000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB795-M kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 5000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB795 liegt im Bereich von 2000 bis 30000, die des 2SB795-K im Bereich von 8000 bis 30000, die des 2SB795-L im Bereich von 4000 bis 10000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB795-M-Transistor könnte nur mit "B795-M" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB795-M ist der 2SD986-M.Der BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) und BSP62T3G (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB795-M-Transistors.Sie können den Transistor 2SB795-M durch einen 2N6036, 2N6036G, 2SB1067, 2SB1149, 2SB1149-M, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB1149, KSB1149-O, KSB795, KSB795-R, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G oder MJE712 ersetzen.