Bipolartransistor BD138-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD138-10

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD138-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD138-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD138 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD138-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD138-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD138-10 ist der BD137-10.

SMD-Version des Transistors BD138-10

Der 2SA1364 (SOT-89), BCP52 (SOT-223), BCP52-10 (SOT-223), BCX52 (SOT-89), BCX52-10 (SOT-89) und MMBT4354 (SOT-23) ist die SMD-Version des BD138-10-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD138-10

Sie können den Transistor BD138-10 durch einen 2SB649, 2SB744A, BD138G, BD140, BD140-10, BD140G, BD168, BD170, BD178, BD178-10, BD180, BD180-10, BD180G, BD190, BD229, BD231, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD378-10, BD380, BD380-10, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G, MJE254, MJE711 oder MJE712 ersetzen.
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