Bipolartransistor BC485L

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC485L

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC485L

Der BC485L wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC485L kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC485 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des BC485A im Bereich von 100 bis 250, die des BC485B im Bereich von 160 bis 400.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC485L ist der BC486L.

SMD-Version des Transistors BC485L

Der 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23), 2SC3915 (SOT-23) und BCP54 (SOT-223) ist die SMD-Version des BC485L-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC485L

Sie können den Transistor BC485L durch einen BC487, BC487L, BC489 oder BC489L ersetzen.
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