Bipolartransistor BC489L

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC489L

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC489L

Der BC489L wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC489L kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC489 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des BC489A im Bereich von 100 bis 250, die des BC489B im Bereich von 160 bis 400.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC489L ist der BC490L.

SMD-Version des Transistors BC489L

Der 2SC3438 (SOT-89), BCP56 (SOT-223), FMMTA06 (SOT-23) und KST06 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC489L-Transistors.
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