Bipolartransistor BC237

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC237

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 10 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC237

Der BC237 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC237 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC237A liegt im Bereich von 120 bis 220, die des BC237B im Bereich von 180 bis 460, die des BC237C im Bereich von 380 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC237 ist der BC307.

SMD-Version des Transistors BC237

Der BC847 (SOT-23), BC847W (SOT-323), BC850 (SOT-23) und BC850W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC237-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC237

Sie können den Transistor BC237 durch einen BC546, BC547 oder BC550 ersetzen.
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