Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2386-A
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
Verlustleistung, max: 70 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 12000
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SD2386-A
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD2386-A kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 12000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2386 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SD2386-B im Bereich von 9000 bis 18000, die des 2SD2386-C im Bereich von 15000 bis 30000.
Equivalent circuit
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2386-A-Transistor könnte nur mit "D2386-A" gekennzeichnet sein.
