Bipolartransistor 2SD2389
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2389
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 80 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 30000
- Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SD2389
Klassifizierung von hFE
Equivalent circuit
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD2389
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