Bipolartransistor MJH11022G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJH11022G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 150 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-247
- Der MJH11022G ist die bleifreie Version des MJH11022-Transistors
Pinbelegung des MJH11022G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJH11022G
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