Bipolartransistor MJH11020

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJH11020

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des MJH11020

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJH11020 ist der MJH11019.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJH11020

Sie können den Transistor MJH11020 durch einen 2SC3320, 2SD1313, MJH11020G, MJH11022 oder MJH11022G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJH11020G-Transistor ist die bleifreie Version des MJH11020.
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