Bipolartransistor 2SB744A-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB744A-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 45 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB744A-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB744A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB744A liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB744A-O im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB744A-Y im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB744A-R-Transistor könnte nur mit "B744A-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB744A-R ist der 2SD794A-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB744A-R

Sie können den Transistor 2SB744A-R durch einen 2N4919, 2N4919G, 2N4920, 2N4920G, BD178, BD180, BD180G, BD190, BD440, BD440G, BD442, BD442G, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744A, KSB744A-R, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE234, MJE235, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G oder MJE254 ersetzen.
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