Bipolartransistor 2SB648A-C

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB648A-C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB648A-C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB648A-C kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB648A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB648A-B im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB648A-C-Transistor könnte nur mit "B648A-C" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB648A-C ist der 2SD668A-C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB648A-C

Sie können den Transistor 2SB648A-C durch einen 2SA1142, 2SA1142Q, 2SA1209, 2SA1209-R, 2SA1210, 2SA1210-R, 2SA1220A, 2SA1220A-Q, 2SA1248, 2SA1248-R, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1322, 2SA1352, 2SA1352-E, 2SA1353, 2SA1353-E, 2SA1380, 2SA1380-E, 2SA1381, 2SA1381-E, 2SA1406, 2SA1406-E, 2SA1407, 2SA1407-E, 2SA1477, 2SA1477-R, 2SA1478, 2SA1478-E, 2SA1479, 2SA1479-E, 2SA1480, 2SA1480-E, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SA1540, 2SA1540-E, 2SA1541, 2SA1541-E, 2SA795A, 2SB1109, 2SB1109-C, 2SB1110, 2SB1110-C, 2SB649A, 2SB649A-C, HSB1109, HSB1109-C, KSA1142, KSA1142O, KSA1220A, KSA1220A-O, KSA1381, KSA1381-E, KSE350, KTA1700, MJE350 oder MJE350G ersetzen.
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