Bipolartransistor 2SB648A

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
• Verlustleistung, max: 1 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB648A kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB648A-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB648A-C im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB648A-Transistor könnte nur mit "B648A" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB648A ist der 2SD668A.Sie können den Transistor 2SB648A durch einen 2SA1220A, 2SA1322, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1479, 2SA1480, 2SA1540, 2SA1541, 2SB1109, 2SB1110, 2SB649A, HSB1109, KSA1220A, KSA1381, KSE350, MJE350 oder MJE350G ersetzen.