Bipolartransistor MJE350

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 240
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE350 ist der MJD340.Sie können den Transistor MJE350 durch einen KSE350 oder MJE350G ersetzen.Der MJE350G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE350.