Bipolartransistor MJE350G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE350G

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 240
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Der MJE350G ist die bleifreie Version des MJE350-Transistors

Pinbelegung des MJE350G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE350G

Sie können den Transistor MJE350G durch einen KSE350 oder MJE350 ersetzen.

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