Bipolartransistor 2SA968O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA968O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SA968O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA968O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA968 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SA968Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA968O-Transistor könnte nur mit "A968O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA968O ist der 2SC2238O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA968O

Sie können den Transistor 2SA968O durch einen 2SA1006, 2SA1006A, 2SA1006B, 2SA1011, 2SA1306, 2SA1306-O, 2SA1306A, 2SA1306A-O, 2SA1306B, 2SA1306B-O, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SA968A, 2SA968AO, 2SA968B, 2SA968BO, 2SB1186A, 2SB630, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, KTA1659, KTA1659A, KTA1659AO, KTA1659O, KTA968, KTA968A, KTA968AO, KTA968O, KTB1369, KTB1369O, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 oder MJE5850G ersetzen.
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