Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1306B-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SA1306B-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1306B-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1306B liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SA1306B-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1306B-O-Transistor könnte nur mit "A1306B-O" gekennzeichnet sein.
