Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1360-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
Verlustleistung, max: 5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126F
Pinbelegung des 2SA1360-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1360-O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1360 liegt im Bereich von 80 bis 240, die des 2SA1360-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1360-O-Transistor könnte nur mit "A1360-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1360-O ist der 2SC3423-O.
SMD-Version des Transistors 2SA1360-O
Der 2SA1200 (SOT-89), 2SA1200-O (SOT-89) und KTA1660 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA1360-O-Transistors.
