Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1123-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 220
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1123-R
Der 2SA1123-R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1123-R kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1123 liegt im Bereich von 130 bis 450, die des 2SA1123-S im Bereich von 185 bis 330, die des 2SA1123-T im Bereich von 260 bis 450.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1123-R-Transistor könnte nur mit "A1123-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1123-R ist der 2SC2631-R.
SMD-Version des Transistors 2SA1123-R
Der 2SA1200 (SOT-89), 2SA1200-Y (SOT-89), KTA1660 (SOT-89) und KTA1660Y (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA1123-R-Transistors.
