Bipolartransistor 2SA1767

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1767

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.07 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA1767

Der 2SA1767 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1767 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1767Q liegt im Bereich von 60 bis 150, die des 2SA1767R im Bereich von 100 bis 220.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1767-Transistor könnte nur mit "A1767" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1767 ist der 2SC1473A.

SMD-Version des Transistors 2SA1767

Der BF621 (SOT-89) und BF821 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1767-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1767

Sie können den Transistor 2SA1767 durch einen 2SA1371, 2SA1624 oder KTA1279 ersetzen.
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