Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1123-T
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 260 bis 450
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1123-T
Der 2SA1123-T wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1123-T kann eine Gleichstromverstärkung von 260 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1123 liegt im Bereich von 130 bis 450, die des 2SA1123-R im Bereich von 130 bis 220, die des 2SA1123-S im Bereich von 185 bis 330.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1123-T-Transistor könnte nur mit "A1123-T" gekennzeichnet sein.
