Bipolartransistor 2SA1008M

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1008M

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SA1008M

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1008M kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1008 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SA1008K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1008L im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1008M-Transistor könnte nur mit "A1008M" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1008M ist der 2SC2331M.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1008M

Sie können den Transistor 2SA1008M durch einen 2N6475, 2N6476, 2SA1010, 2SA1010M, 2SB1016, 2SB1016-R, 2SB1090, 2SB1090-M, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB546, 2SB546-R, 2SB546A, 2SB546A-M, 2SB547, 2SB595, 2SB595-R, 2SB630, 2SB630-S, 2SB703A, 2SB703A-S, 2SB995, 2SB995-R, BD240C, BD242C, BD244C, BD540C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, KSB546, KSB546-R, KTB1367, KTB1367R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031, MJF15031G oder NTE292 ersetzen.
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