Bipolartransistor 2N6672

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 550 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 150 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 10 bis 40
• Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N6672 durch einen 2N6251, 2N6673, 2N6677, 2N6678, 2SC2429, 2SC2429A, 2SC3045, 2SC3058, 2SC3058A, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006, MJ16008 oder MJ8504 ersetzen.