Bipolartransistor MJ16008
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ16008
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 850 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 150 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 7
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des MJ16008
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ16008
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com