Bipolartransistor 2N6678

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6678

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 650 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 175 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6678

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6678

Sie können den Transistor 2N6678 durch einen 2N6547, 2SC2429, 2SC2429A, 2SC2920, 2SC3058, 2SC3058A, BUX48, BUX48A, BUX48B, BUX48C oder MJ10001 ersetzen.
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